• 型号:
    STY60NK30Z
    数量:
    1200
    厂商:
    ST
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    Newest
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    TO-3P
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    详细信息
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    包装 ?管件 ?
    零件状态在售
    FET 类型N 沟道
    技术MOSFET(金属氧化物)
    Drain to Source Voltage (Vdss)300V
    电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)60A(Tc)
    驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)10V
    不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)4.5V @ 100μA
    不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)220nC @ 10V
    不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)7200pF @ 25V
    Vgs(最大值)±30V
    FET 功能-
    功率耗散(最大值)450W(Tc)
    不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)45 毫欧 @ 30A,10V
    工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
    安装类型通孔
    供应商器件封装MAX247?
    封装/外壳TO-247-3

    1:由于型号种类繁多,价格时有更新,请顾客一定要与我们沟通咨询后才可下单。

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